Curva SOA
Una de las curvas más importantes de un transistor es la curva del área de máxima seguridad "SOA" (Sfae Operation Area).
En funcionamiento en contínua, este área define la región de posibles combinaciones de IC/VCE dentro de la cual el punto de trabajo puede estar sin daño y sin disminución de la fiabilidad del transistor.
En la gráfica adjunta se observa cómo se mantiene el voltaje máximo a 700V y cómo se dan diferentes tiempos de pulso. Así, el área abarcada por un pulso de 10ms será menor que la que abarca un pulso de 1ms. Esto nos indica que el fabricante determina las características del área de seguridad dando pulsos de corriente superiores a la Is/b límite, pero de tiempo reducido para no deteriorar el transistor.
Curva de impedancia térmica
Relaciona la duración del pulso tp con la impedancia térmica unión-contenedor (Zth).
El factor de trabajo D es el parámetro característico de esta curva; si la duración del pulso ton es pequeña, D también lo es, ya que se relacionan mediante D=ton/T, siendo T el periodo.
Como se puede apreciar, a partir de un cierto valor de pulso la impedancia térmica tiene un mismo valor para cualquier ciclo de trabajo, pasando a ser una resistencia térmica unión-ambiente.
Curva de degradación de la potencia
Nos relaciona la variación de la temperatura del contenedor o cápsula con la máxima potencia de disipación del transistor (PD).
Se observa que el dispositivo puede disipar su máxima potencia (en este caso 100W) siempre y cuando trabaje en un intervalo de temperaturas de contenedor comprendido entre 0 y 25ºC. A partir de esta temperatura, la potencia va a ir disminuyendo linealmente a medida que la temperatura aumenta, hasta alcanzar un valor límite de temperatura, donde la potencia disipada es cero.
La potencia disipada se puede calcular mediante:
Ptot=(Tj - Tc)/Rjc
Curvas ganancia - corriente de colector
Nos muestra la variación de la ganancia de corriente continua hFE con la corriente de colector IC y con la temperatura.
Podemos apreciar que a una temperatura fija, la ganancia crece hasta un máximo cuando la corriente de colector aumenta. Si esta corriente continúa aumentando, la ganacia comienza a disminuir.
Por otro lado, también se observa que al aumentar la temperatura, aumenta la ganancia para una corriente de colector dada.
Curvas características de entrada
Relaciona la intensidad de base con la tensión base-emisor.
En ella podemos ver la cracaterística de entrada que nos da el fabricante, para temperaturas de 25 a 125ºC del encapsulado y para distintas corrientes de colector. Así, cuando la temperatura de la cápsula vale 25ºC, observamos que para una variación pequeña de VBE, tenemos una variación de IB mayor.
Curvas características de salida
Relacionan la intensidad de colector y la tensión colector-emisor para una intensidad de base constante.
En este caso no se limitan las curvas con la curva de máxima disipación de potencia (en algunas hojas vienen limitadas), así que hay que tenerlo muy en cuenta a la hora de realizar los cálculos, ya que no se debe trabajar por encima de dicha curva.
Curvas características de transferencia
Relacionan la intensidad de colector con la tensión base-emisor, para una tensión constante de VCE, en este caso de 5V.
En esta gráfica, vemos como la relación IC-VBE es mucho más lineal a 25ºC que a 125ºC, queriéndonos decir el fabricante que a altas temperaturas nos encontramos con una distorsión considerable, consecuencia directa de la alinealidad del transistor.
Curvas VCEsat / IC
Nos relacionan la tensión colector-emisor de saturación con la intensidad de colector. Los otros dos parámetros característicos son la temperatura de la cápsula y la ganacia de corriente en continua (IC/IB).
Como podemos apreciar, para mayor temperatura habrá mayores valores de tensión e intensidad.
Curva corriente de fugas - temperatura ambiente
La corriente de fugas se debe a los portadores minoritarios que atraviesan la union colector-base inversamente polarizada.
Podemos apreciar que a medida que crece la temperatura, también lo hace la intensidad de fugas.
Fuente:http://www.redeya.com/electronica/tutoriales/htransis/transis/t5.htm
Nombre: Lenny Ramirez
Asignatura: EES
Nos muestra la variación de la ganancia de corriente continua hFE con la corriente de colector IC y con la temperatura.
Podemos apreciar que a una temperatura fija, la ganancia crece hasta un máximo cuando la corriente de colector aumenta. Si esta corriente continúa aumentando, la ganacia comienza a disminuir.
Por otro lado, también se observa que al aumentar la temperatura, aumenta la ganancia para una corriente de colector dada.
Curvas características de entrada
Relaciona la intensidad de base con la tensión base-emisor.
En ella podemos ver la cracaterística de entrada que nos da el fabricante, para temperaturas de 25 a 125ºC del encapsulado y para distintas corrientes de colector. Así, cuando la temperatura de la cápsula vale 25ºC, observamos que para una variación pequeña de VBE, tenemos una variación de IB mayor.
Curvas características de salida
Relacionan la intensidad de colector y la tensión colector-emisor para una intensidad de base constante.
En este caso no se limitan las curvas con la curva de máxima disipación de potencia (en algunas hojas vienen limitadas), así que hay que tenerlo muy en cuenta a la hora de realizar los cálculos, ya que no se debe trabajar por encima de dicha curva.
Curvas características de transferencia
Relacionan la intensidad de colector con la tensión base-emisor, para una tensión constante de VCE, en este caso de 5V.
En esta gráfica, vemos como la relación IC-VBE es mucho más lineal a 25ºC que a 125ºC, queriéndonos decir el fabricante que a altas temperaturas nos encontramos con una distorsión considerable, consecuencia directa de la alinealidad del transistor.
Curvas VCEsat / IC
Nos relacionan la tensión colector-emisor de saturación con la intensidad de colector. Los otros dos parámetros característicos son la temperatura de la cápsula y la ganacia de corriente en continua (IC/IB).
Como podemos apreciar, para mayor temperatura habrá mayores valores de tensión e intensidad.
Curva corriente de fugas - temperatura ambiente
La corriente de fugas se debe a los portadores minoritarios que atraviesan la union colector-base inversamente polarizada.
Podemos apreciar que a medida que crece la temperatura, también lo hace la intensidad de fugas.
Fuente:http://www.redeya.com/electronica/tutoriales/htransis/transis/t5.htm
Nombre: Lenny Ramirez
Asignatura: EES
Relacionan la intensidad de colector y la tensión colector-emisor para una intensidad de base constante.
En este caso no se limitan las curvas con la curva de máxima disipación de potencia (en algunas hojas vienen limitadas), así que hay que tenerlo muy en cuenta a la hora de realizar los cálculos, ya que no se debe trabajar por encima de dicha curva.
Curvas características de transferencia
Relacionan la intensidad de colector con la tensión base-emisor, para una tensión constante de VCE, en este caso de 5V.
En esta gráfica, vemos como la relación IC-VBE es mucho más lineal a 25ºC que a 125ºC, queriéndonos decir el fabricante que a altas temperaturas nos encontramos con una distorsión considerable, consecuencia directa de la alinealidad del transistor.
Curvas VCEsat / IC
Nos relacionan la tensión colector-emisor de saturación con la intensidad de colector. Los otros dos parámetros característicos son la temperatura de la cápsula y la ganacia de corriente en continua (IC/IB).
Como podemos apreciar, para mayor temperatura habrá mayores valores de tensión e intensidad.
Curva corriente de fugas - temperatura ambiente
La corriente de fugas se debe a los portadores minoritarios que atraviesan la union colector-base inversamente polarizada.
Podemos apreciar que a medida que crece la temperatura, también lo hace la intensidad de fugas.
Fuente:http://www.redeya.com/electronica/tutoriales/htransis/transis/t5.htm
Nombre: Lenny Ramirez
Asignatura: EES
Nos relacionan la tensión colector-emisor de saturación con la intensidad de colector. Los otros dos parámetros característicos son la temperatura de la cápsula y la ganacia de corriente en continua (IC/IB).
Como podemos apreciar, para mayor temperatura habrá mayores valores de tensión e intensidad.
Curva corriente de fugas - temperatura ambiente
La corriente de fugas se debe a los portadores minoritarios que atraviesan la union colector-base inversamente polarizada.
Podemos apreciar que a medida que crece la temperatura, también lo hace la intensidad de fugas.
Fuente:http://www.redeya.com/electronica/tutoriales/htransis/transis/t5.htm
Nombre: Lenny Ramirez
Asignatura: EES
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